logo

Kontakt hodisalar

Yuklangan vaqt:

12.08.2023

Ko'chirishlar soni:

0

Hajmi:

555 KB
Kontakt  hodisalar  
MUNDARIJA
I.KIRISH … ………………………………………………… 3
II.ASOSIY QISM…………………………………………… 6
1.1.   Metall – dielektrik o tishi………………………………….ʻ 6
1.2.  Kontaktlar………………………………………………… 10
1.3.Metall- yarim o’tkazgich kontakti………………………… 11
1.4.To’g’irlovchi kontaktlar………………………………....... 12
1.5.Omik  kontaktlar…………………………………………... 13
1.6.Getero o’tishlar……………………………………………. 14
1.7.Yarim  o’tkazgichlarda kontakt hodisalar............................. 18
III. XULOSA ............................................................................ 19
FOYDALANILGAN ADABIYOTLAR RO`YXATI  ........... 20
1 KIRISH
Zamonaviy elektronika sohasi jahon fani va texnikasida salmoqli
o‘rinni   egallaydi.   Ular   asosida   ishlab   chiqarilayottan   asboblar   va
qurilmalar   miqdori   tez   ko‘payib,   ularning   turli   soxalarga   tatbiqi
kengayib   bormoqda.   Xozir   zamonaviy   elektronika   elementlari
qo‘llanilmayotgan   insoniyat   faoliyati   soxalarini   aloxida   ko‘rsatish
qiyin   —   ular   avtomatikada,   telemexanikada,   radioelektronikada,
elektron-xisoblash   texnikasida   va   boshqa   qator   soxalarda   keng
ishlatilayotir.
Yarimo’tkazgichlar   va   dielеktriklar   fizikasi   fani   fizika
sохasining   o’ta   dоlzarb   muammоlariga   tеgishli   bo’lib,
yarimo’tkazgichlar   va   dielеktriklardagi   fizik   хоdisalarning   asоsiy
qоnuniyatlari  bilan tanishtirishni  nazarda tutiladi. Yarimo’tkazgichlar
va   dielеktriklar   fizikasi   fanining   maqsadi   yarimo’tkazgichlar   va
dielеktriklardagi   fizik   хоdisalarning   asоsiy   qоnuniyatlari   bilan
tanishtirishdir. Ushbu fanning vazifasi talabalarda  kеlajakda mustaqil
ilmiy   tadqiqоt   va   amaliy   ishlab   chiqarish   jarayonlarida
yarimo’tkazgich   matеriallarni   fizikgkimyoviy   хоssalari   bo’yicha
ajrata   bilish,     ish   vazifasi   talablarga   mоs   kеluvchi   yarimo’tkazgich
asbоblarning хоssa va paramеtrlarini nazariy xisоblay bilish va yarata
оlish o’quv va malakalarini hоsil qilishdan ibоratdir.
Yarimo’tkazgichlarni   muхim   elеktrоfizik   хususiyatlari   tufayli,
ular   turli   хil   asbоblar   yasashda   kеng   kullaniladi.   Yarimo’tkazgichli
asbоblar  tоkni  tugrilashda  (diоdlar),  tеbranishlarni  gеnеratsiyalash  va
kuchaytirishda (tranzistоrlar), issiqlik va nurlanish enеrgiyasini elеktr
enеrgiyasiga aylantirishda (tеrmоelеmеntlar va fоtоelеmеntlar), elеktr
2 enеrgiyasini   yoruglik   enеrgiyasiga   aylantirishda   (fоsfоrlar,
svеtоdiоdlar,   lazеrlar),   tеmpеraturani   ulchоvchi   datchiklar
(tеrmistоrlar),   yoruglik   va   kоrpuskulyar   nurlanishlarni   kayd   qilishda
(fоtоrеzistоrlar   va   dоzimеtrlar),   bоsimni   (tеnzоdatchiklar)   va   magnit
maydоnlarni (Хоll datchiklari) ulchashda kullaniladi. 
Х ar   bir   asb о bni   ishi   as о sida   ma ’ lum   bir   fizik   хо disa   yotadi .
SHuning   uchun   yarimo’tkazgichlar   fizikasi   yarimo’tkazgichlar
el е ktr о nikasini nazariy as о si hisoblanadi. Yarimo’tkazgich m о ddalarni
yaratish,   ular   as о sida   asb о blarni   yangi   kurinishlarini   yasash,   yuqori
sifatli   yarimo’tkazgich   asb о blar   va   int е gral   s хе malar   ishlab
chikarishini yulga kuyish-bularni  х ammasi yarimo’tkazgichlar fizikasi
s ох asida mu х im bilimlarni urganishni talab kiladi.          
Agar   tarixga   nazar   tashlansa,   nuqtaviy   diodlar   yoki   kristall
dedektorlar   ko‘rinishidagi   yarim   o‘tkazgichli   asboblar   ancha   ilgari
qo‘llanilgan.   Masalan,   metallar   bilan   sulfit   birikmalar   kontakini
to‘g‘irlash xossalari 1874 yilda aniqlangan. Unda nuqtaviy kontaktdan
tok   o‘tayotganda   kremniy   karbidining     yorug‘lanishi   kuzatilgan   va
yuqori   takroriylikli   elektromagnit   tebranishlarni     paydo   qilish   va
kuchaytirish   amalga   oshirilgan.   Ikkinchi   jaxon   urushi   vaqtida   yuqori
takroriylikli   va   o‘ta   yuqori   takroriylilikli   germaniy   va   kremniy
nuqtaviy diodlari ishlab chiqildi, issiqlik energiyasini bevosita elektrik
energiyaga   aylantirib   beradigan   yarim   o‘tkazgichli   termoelektrik
generatorlar   tayyorlandi.   1948   yilda   amerika   olimlari   J.Bardin,
V.Bratteyn   va   V.   SHokli     nuqtaviy   tranzistorlarni   yaratdi.
V.SHoklining p-n o‘tishi nazariyasi yarim o‘tkazgichlar  elektornikasi
rivojining   yangi   bosqichini   boshlab   berdi.   50-   yillarda   ikki   qutbli
3 tranzistorlarning   xar   xillari,   tristorlar,   katta   quvvatli   to‘g‘irlagich
diodlar,   fotodiodlar,   fototranzistorlar,   fotoelementlar,   tunelli   diodlar
va boshqa dastlabki elektronika elementlari yaratila boshlandi.     1960
–   yillarga     kelib   integral   sxemalar   ishlab   chiqarish   boshlandi.   1967
yilda   J.I.Alferov   rahbarligida     xossalari     mukammallikka   yaqin
bo‘lgan   geteroo‘tishlar     xosil   qilindi   va   bular   asosida   xozirgi   vaqtda
kunlik   extiyojda   foydalanilayotgan   uyali   aloqa   vositalari   va
boshqalarni   aytishimiz   mumkin.   Bu   geteroo‘tishlar   asosida   lazerlar
tayyorlandi.   O‘zining   xossalarining   mukammalligi     va
qo‘llanilayotgan   sohalarining   kengligi   bilan   yarim   o‘tkazgichli
materiallar   jumladan   pe’zoelektrik   (yorug‘lik   ta’sirida   bo‘ladigan
xajmiy   o‘zgarishlar)   xususiyatiga   ega   bo‘lgan   yarim   o‘tkazgichlarni
xosil   qilish   texnologiyasi   va   ularning   fizik   xossalarini   o‘rganish   shu
kunning dolzarb muammolaridan biridir.  
Bizga   ma’lumki,   xozirda   zamonaviy   elektronika   elementlarini
beshinchi   avlod   elektronikasi   sanoatining     asosiy   xom   ashyosi
xisoblanadi.   Bu   avlod   elektronikasining     asosiy   elektronika
elementlarini   o‘zining   ma’lum   bir         xossasiga   ega   bo‘lgan   yarim
o‘tkazgichlar   tashkil   etadi.   Ularning   xossalarini   o‘rganish   ustida
samarali   ishlar   olib   borilmoqda.   Jumladan,   o‘zining   yorug‘lik
sezgirligining   o‘ta   yuqoriligi,   elektro   va   pe’zoelektrik   xususiyatining
alohidaligi,   magnitik   va   pe’zooptik   sezuvchanligining   samaradorligi
bilan     selinitli     pe’zoelektrik   yarim   o‘tkazgichlar   ustida   olib
borilayotgan ishlar xaqida bir qancha ma’lumotlarga ega bo‘lish ushbu
bitiruv malakaviy ishining asosiy maqsadi va vazifasi hisoblanadi. 
4 I.ASOSIY QISM.
1.1.Metall – dielektrik o tishiʻ
Metall–dielektrik   –   faza   o tishi   temperatura   (	
ʻ T ),   bosim   ( p ),
magnit   maydon   kuchlanganligi   ( H )   yoki   modda   tarkibi   o zgarganda	
ʻ
o tkazuvchanlik kattaligi va xarakterining o zgarishi bilan yuz beradi.	
ʻ ʻ
Metall–dielektrik   faza   o tishi   bir   qator   qattiq   jismlarda,   ba’zi	
ʻ
suyuqliklar   va   bug larda   (metallarning   zich   bug lari)   kuzatiladi.	
ʻ ʻ
Metall–dielektrik   faza   o tishlarida   o tkazuvchanlik  	
ʻ ʻ σ   juda   kuchli,
o zgarishi   mumkin.  	
ʻ Metall–dielektrik   faza   o tishi,   agar   u   birinchi	ʻ
jinsli   faza   o tishi   bo lsa,   oson   identifikasiya   (sinflash)   qilinishi	
ʻ ʻ
mumkin.   Ikkini   jinsli   faza   o tishi   holida   uni  	
ʻ metall–dielektrik   faza
o tishi deb sinflashtirish ko p holda qiyin va shartli bo ladi, chunki  	
ʻ ʻ ʻ T
≠   0   K   bo lganda   o tkazuvchanlik   ham  	
ʻ ʻ σ   ≠   0   bo lib,   o tishning   har	ʻ ʻ
ikkala tomoni va o tish nuqtasida uzluksiz bo ladi. Moddalarni qat’iy	
ʻ ʻ
tarzda   metallar   hamda   dielektriklarga   (yarimo tkazgichlarga)   ajratish	
ʻ
faqat  T = 0  K da mumkin bo ladi, bu temperaturada metallarda 	
ʻ σ ( ω ) ≠
0 ,   dielektriklarda   esa   σ ( ω ) ω →0   =   0 .   Odatda   temperatura   T   ning
oshishi   bilan   metallar   qarshiligi   ortib,   dielektriklar   va
yarimo tkazgichlar qarshiligi esa kamayadi. 	
ʻ
Qattiq   jismlarning   standart   zona   sxemasida   dielektriklar   va
yarimo tkazgichlarda   to lgan   zonalar   bo sh   zonalardan   energetik
ʻ ʻ ʻ
tirqish  
ℰ ??????   bilan   ajralgan   bo ladi.   Metallarda   esa   qisman   to lgan	ʻ ʻ
zonalar bor bo lib, ularda elektronlar kuchsiz elektr maydoni ta’sirida	
ʻ
harakatlanishi   mumkin.   Bir   elektronli   yaqinlashishda   zonalar
strukturasi   kristall   panjara   simmetriyasi   bilan   bog langan.  	
ʻ Metall–
dielektrik   faza   o tishlar   panjara   o zgarishlari,   ya’ni   struktura   faza	
ʻ ʻ
5 o tishi   bilan   bog langan   bo lishi   mumkin.   Ko plab   kvazibiro lchamliʻ ʻ ʻ ʻ ʻ
va  kvaziikkio lchamli   (qatlamli)   birikmalarda  	
ʻ metall–dielektrik   faza
o tishlari   tabiati   shunday   bo ladi.   Bu   holdagi   o tish  	
ʻ ʻ ʻ Payerls   o tishi	ʻ
yoki   zaryad   zichligi   to lqinlari   hosil   bo ladigan   o tish   deyiladi.	
ʻ ʻ ʻ
Kristall   panjara   simmetriyasining   o zgarishi   bilan   yuzaga   keladigan	
ʻ
metall–dielektrik   faza   o tishlariga   misol   tariqasida   oq   qalayning	
ʻ
kulrang   qalayga   o tishini   misol   keltirish   mumkin.   Kristall   panjara	
ʻ
simmetriyasining o zgarishi bilan yuzaga keladigan 
ʻ metall–dielektrik
faza   o tishlari   boshqa   moddalarda,   masalan,   oq   qalayning   kulrang	
ʻ
qalayga   o tishida   (“qalay   o lati”)   kuzatiladi.   Ko plab	
ʻ ʻ ʻ
yarimo tkazgichlarning   erishida  kuzatiladigan  	
ʻ metall–dielektrik   faza
o tishlari yaqin tartibning o zgarishi bilan bog langan. Masalan, qattiq	
ʻ ʻ ʻ
fazada   olmos   tipidagi   kristall   panjaraga   ega   bo lgan  	
ʻ Ge   va   Si   lar
eriganida yaqin tartib o zgaradi va ular suyuq metall bo lib qoladilar.	
ʻ ʻ
Odatda   kristall   panjara   simmetriyasi   o zgarganda   ruxsat   etilgan	
ʻ
zonalarning torayishi va energetik tirqishning yo qolishi bilan ko plab	
ʻ ʻ
yarimo tkazgichlar   va   dielektriklarning   yuqori   bosimlarda   metall	
ʻ
o tkazuvchanlikga   ega   bo lib   qolishlari   tushuntiriladi.   Yer   qa’rida	
ʻ ʻ
metallik yadro mavjudligi balki shu bilan aniqlanishi mumkin. 
Ko pchilik   dielektriklarda  	
ʻ T   =   0   K   da   asosiy   holat   dielektrik
holat   bo lishi   va  
ʻ metall–dielektrik   faza   o tishi   bir   elektronli   zona	ʻ
sxemasi   bilan   tushuntirilmasligi   elektronlar   o rtasidagi   o zaro   ta’sir	
ʻ ʻ
bilan   bog langan.   Masalan,   o tish   va   kam   yer   metallarining	
ʻ ʻ
(latanoidlar)   ko plab   birikmalarida   ichki,   qisman   to lgan  	
ʻ ʻ d -   yoki   f -
qobiqlar   elektronlari   ion   qoldig ida   lokallashib   qoladilar   va   metall	
ʻ
o tkazuvchanlik   nomoyon   bo lishi   uchun   ularning   qo shni   ionlarga	
ʻ ʻ ʻ
6 o tishi   energiyasi   elektronlar   orasidagi   ta’sir   energiyasiga   nisbatanʻ
kichikligi   tufayli   mumkin   bo lmaydi,   chunki   olib   o tilgan   “ortiqcha”	
ʻ ʻ
elektron ionda mavjud bo lga “o z” elektronidan kuchli itariladi. Shu	
ʻ ʻ
sabab   bilan   dielektrik   bo lgan   moddalar   Mott   (yoki   Mott–Xabbard)
ʻ
dielektriklari deyiladi. Bunday dielektriklarga o tish metallarinig NiO,	
ʻ
SoO   va   h.k.lar   kabi   oksidlari   misol   bo ladi.   Bunday   sistemalarda	
ʻ
metall–dielektrik   faza   o tishi   Mott–Xabbard   tirqishining,   masalan,	
ʻ
temperatura yoki bosim o zgarishlari bilan bog liq yo qolishi bo lishi
ʻ ʻ ʻ ʻ
mumkin.   Birikmasi   va   unga   o xshash   sistemalardagi  	
ʻ metall–
dielektrik   faza   o tishining   tabiati   yuqorida   keltirilgandek   bo lishi	
ʻ ʻ
mumkin.   Shunga   qaramasdan   metall–dielektrik   faza   o tishiga	
ʻ
elektronlarning   panjara   bilan   ta’siri   ham   ma’lum   ulush   qo shishi
ʻ
mumkin.   Umumiy   holda   metall–dielektrik   faza   o tishining   asosiy	
ʻ
sabalarini   ajratish   ko p   hollarda   qiyin   kechadi,   chunki   bunday	
ʻ
o tishlarga  turli  mexanizmlar o z ulushini  qo shishlari  mumkin. Agar	
ʻ ʻ ʻ
metall–dielektrik  faza o tishi mottcha xarakterga ega bo lsa, u odatda	
ʻ ʻ
moddaning   magnit   xossalari   o zgarishlariga   kuchli   bog liq   bo ladi,	
ʻ ʻ ʻ
chunki   lokallashgan   elektronlar   lokallashgan   magnit   momentlariga
ega   bo ladilar.   Shuning   uchun   moddalar   mottcha   dielektrik   fazasida	
ʻ
odatda magnit tartibga ega (odatda antiferromagnit) bo ladilar. 	
ʻ
Tartibsiz   sistemalarda   (tartibsiz   qotishmalar,   kuchli   legirlangan
yarimo tkazgichlar,   amorf   moddalar)   tasodifiy   (xaotik)   potensialda	
ʻ
xarakatlanayotgan   elektron,   o zining   energetik   spektri   uzluksiz	
ʻ
bo lishiga   qaramasdan,   fazoda   lokallashgan   bo lib   qolishi   mumkin	
ʻ ʻ
ekan   (andersoncha   lokallashuv).   Bunga   mos   ravishda   elektronning
harakatchanligi nolga aylanib, modda dielektrik bo lib qolishi mumkin	
ʻ
7 ekan.   Bunday   hollarda   metall–dielektrik   faza   o tishi   (yoki   teskariʻ
jarayon)   sistemaning   tartibsizlik   darajasi   yoki   elektronlar
konsentrasiyasining,   Fermi   sathi   harakatchanlik   chegarasini   kesib
o tib   delokallashgan   holatlarga   chiqishi   tufayli,   o zgarishlari   bilan	
ʻ ʻ
yuzaga kelgan bo lishi mumkin. 	
ʻ
Metall–dielektrik   faza   o tishi   hodisasi   amaliyotda   keng	
ʻ
(termistorlar   va   rezistorlar   tayyorlashda,   axborotlarni   yozish   va
saqlash qurilmalarida va h.k.larda) qo llaniladi.	
ʻ
Yupqa   vakumm   tirqishi   bilan   ajratilgan   ikkita   metall   kontaktini
qaraymiz .   1   –   rasmda   sxematik   tarzda   elektronlar   holatlarining
o’zgarishi   va   kontakt   potensiallar   farqi   yuzaga   kelishi   ko’rsatilgan.
Rasmda o’ng tomonda elektronlarning chiqish ishi  W1  ga teng bo’lgan
metall,   chap   tomonda   esa   elektronlarning   chiqish   ishi   W2   bo’lgan
metall joylashgan. 
Elektronlarning   qattiq   jismdan   termodinamik   chiqish   ishi
deganda   elektronni   Fermi   sathidan   vakuumga   chiqarish   uchun   sarf
qilinishi kerak bo’lgan ish sifatida aniqlanadi. 
1   –   rasmda   vakuumdagi   energiya   sathi   punktirli   chiziq   bilan,
metallardagi   Fermi   sathlari   esa   uzluksiz   gorizontal   chiziqlar   bilan
tasvirlangan.   1a   –   rasm   dastlabki   holatga,   ya’ni   metallar   bir-birlari
bilan   elektronlarni   effektiv   almashtirish   mumkin   bo’lgan   d
masofagacha   yaqinlashtirilgan   holatga   mos   keladi.   Elektronlarni
almashtirish   termoelektron   emissiya   hodisasi   bilan   bog’langan.
Elektronlar   oqimi   chapdan   o’ngga   va   teskari   tomonga   qarab   yuzaga
keladi va kontakt potensiallari farqi hosil bo’ladi.
8 1   –   rasm.   Yupqa   vakuum   tirqishi   bilan   ajratilgan   ikkita
metallardagi   Fermi   sathlarining   joylashuvi   (elektronlarning   chiqish
ishi   turlicha   bo’lgan   hol):   a   –   metallar   yaqinlashgandan   so’ng
(dastlabki   vaqt   momentida);   b   –   dinamik   muvozanat   o’rnatilgandan
keyin (strelkalar bilan toklarning fizik yo’nalishlari ko’rsatilgan).
1.2.Kontaktlar.
Keyingi   muhim   texnologik   amaliyot   bo’lib   kontaktlar   o’rnatish
hisoblanadi.   Bu   amaliyotning   eng   keng   tarqalgan   usuli   nikelni
kimyoviy   cho’ktirish   bo’lib,   uning   afzalligi   soddaligi   va   FElarni
ommaviy   ishlab   chiqarishga   mosligi   hisoblanadi.   Kontaktlarni   yana
9 changpurkash     usuli   bilan   olsa   bo’ladi.   FElardagi   kontaktlarning
mustahkamligi   nafaqat   kontakt   qarshiligi   kattaligi,   balki   mexanik
mustahkamlikka ham bog’liq. 
A
III B
v   turidagi   Yarim   o’tkazgichlardan   FE   yasalayotganda
kontaktlarni toza qo’rg’oshindan qilinishi maqsadga muvofiq bo’ladi.
Kontaktlar   sifati   va   shakllari   FE   volt-amper   xarakteristikasiga   ta‘sir
ko’rsatadi. 2- rasmda sodda tok olish kontaktli FE keltirilgan.
2- rasm.
FE   past   tomoniga   1   kontakt   qoplangan.   Yuqori   tomoniga
ingichka   tasma   2   kontakt   sifatida   qoplangan.   Omik   qarshilikni
kamaytirish uchun yuqori tasma to’r shaklida ham bajarilishi mumkin.
1.3.Metall-yarimo‘tkazgich o‘tishlar
Yarimo'tkazgich   asboblaming   p-   va   n-   sohalaridan   elektrodlar
chiqarish   uchun   metall-yarimo‘tkazgich   kontaktlardan   foydalaniladi.
Bunday   kontaktlar   to'tfrilovchi   yoki   omik   (Om   qonuniga
bo'ysunuvchi)   xususiyatga   ega   bo'lishi   mumkin.   Ular
yarimo‘tkazgichning   o‘tkazuvchanlik   turiga,   kiritmalar
konsentratsiyasiga,   elektronlaming   yarimo'tkazgich   va   metalldan
10 chiqishishlari nisbatiga bog‘liq holda hosil qilinadi.
To‘g‘ri   yo‘nalishdagi   qarshiligi   teskari   yo‘nalishdagisidan
kichik   bolgan   va   nochiziqli   VAX   (2.3,   b-rasm)ga   ega   kontakt
to'tfrilovchi  kontakt   deb ataladi.  Qarshiligi  kontaktdan o'tayotgan  tok
qiymati   va   yo‘nalishiga   bog'liq   bo‘lmagan   kontaktlar   о   mi   к   kontakt
deyiladi.   Metalldan   yoki   yarimo‘tkazgichdan   eiektronni   tortib   olish
uchun   sarflanadigan   ish   miqdori   chiqish   ishi   deb   yuritiladi   va   u
elektron-volt (eV) birliklarda o’lchanadi, 1 eV=l,60- 10~ 1S
 
1.4.To’g’irlovchi kontaktlar
Metall   bilan   n —   turli   yarimo'tkazgich   orasida   to'g'irlovchi
kontakt hosil qilish uchun elektronlarning yarimo'tkazgichdan chiqish
ishi   A
Y A O ’   metallarniki    A
M E T   dan kichik bolmog'i lozim. Bunda   A
M E T
>   A
Y A O ’   bo‘lgani   uchun   kontakt   sohasidagi   yarimo‘tkazgichdan
elektronlar   metalga   ko‘proq   diffuziyalanadi,   natijada   metalning
kontakt   sohalari   manfiy   zaryadlanadi.   Yarimo'tkazgichning
chegaradosh   sohasida   esa   asosiy   zaryad   tashuvchilar   soni   kamayib,
qo‘zg‘almas donor ionlar hisobiga musbat zaryadlangan qatlam hosil
bo‘ladi.   Manfiy   va   musbat   qatlamlar   hisobiga   elektr   maydon   va
potensial   to'siq   hosil   bo'ladi.   Yarimo‘tkazgichning   solishtirma
qarshiligi metalnikiga qaraganda yuqori bo‘lgani uchun hosil bo’lgan
elektr   o‘tish   (metall   —   yarimo‘tkazgich)   asosan   yarimo‘tkazgich
sohasida joylashadi.
Muvozant   holatda   n —   yarimo‘tkazgichning   elektronlari   uchun
potensial   to‘siq   balandligini   belgilovchi   kontakt   potensiallar   farqi,
chiqish ishlar farqiga teng bo'ladi
Barer   balandligini   nazariy   aniqlash   ancha   murakkab   bo'lgani
11 sababli   amaliyotda   tajriba   natijalaridan   foydalaniladi.   Masalan,   n
turdagi kremniyning oltin bilan hosil qilgan kontakt potensiallar farqi
U
SНК =
0,78еV  ni, aluminiy bilan esa  U
S H K =  0,72eV  ni tashkil etadi.
Metall   n   yarimo‘tkazgich   asosidagi   kontaktning   muvozanat
holatdagi kengligi, keskin  p-n  o‘tishniki kabi,  U
K  ni  U
SHK  ga o'zgartirib
topilishi mumkin.
Agar tashqi kuchlanish manbayining musbat elektrodi metallga,
manfiy   elektrodi   esa   n   yarimo‘tkazgichga   ulansa   (to‘g‘ri   siljitish),
elektronlarni   yarimo‘tkazgichdan   metallga   o‘tishiga   to‘sqinlik
qiluvchi potensial to‘siq   qU
0  ga proporsional kamayadi.
1.5.Omik  kontaktlar
Metall-yarimo'tkazgich   asosidagi   potensial   to'siq   Shottki   bareri
(to'sig'i),   diodlar   esa   —   Shottki   diodi   deb   yuritiladi.   Aytilganlardan
Shottki   diodlarida   noasosiy   zaryad   tashuvchilarning   to'planishi   va
chiqarib yuborilishi bilan bog'liq difiuziya sig'imi nolga tengligi kelib
chiqadi.   Natijada  Shottki   diodlarining   tezkorligi   tok  va  kuchlanishlar
o'zgarganda,   jumladan   tok   va   kuchlanishlar   to'g'ridan   teskariga   va
aksincha   o'zgarganda   faqat   barer   sig'imning   metall   qarshiligi   orqali
qayta zaryadlanish vaqti bilan belgilanadi. Kichik yuzaga ega bo'lgan
bunday   diodlarning   qayta   ulanish   vaqti   nanosekundning   o'nlarcha   va
yuzlarcha ulushlarini tashkil etadi. Shunga mos ishchi chastotalar 3-15
GGs ni tashkil etadi.
Elektron   asboblarning   p-   va   n-sohalariga   metall   elektrodlar
ulangan ioylarda  omik kontaktlar  hosil qilinadi. Demak,  p-n  tuzilmada
p-n   o'tishdan tashqari  yana ikkita elektr  o'tish mavjud:  ulardan biri   p
sohadan, ikkinchisi esa  n-  sohadan elektrodlar chiqariladigan joylarda
12 bo'ladi. Agar bu o'tishlar injeksiyalovchi bo'lsa, ularga teskari siljitish
berilganda   elektronlaming   p-   sohaga   va   kovaklarning   «-sohaga
injeksiyasi   boshlanadi.   Injeksiyalangan   noasosiy   zaryad   tashuvchilar
p-n   o'tishga   yetib   borib,   teskari   tok   hosil   bo'Iishida   qatnashadi.
Shuning   bilan   p-n   o'tishning   nosimmetrik   o'tkazuvchanligi   yo'qoladi.
Omik   kontakt   quyidagi:   chiziqli   VAX;   kichik   kontakt   qarshilikka;
injeksiyalamaydigan elektr xususiyatlarga ega bo'lmog'i zarur.
Kontakt   ushbu   xususiyatlarga   ega   bo’lishi   uchun   n
yarimo'tkazgich   sirtiga   yarimo'tkazgich   chiqish   ishiga   nisbatan
kichikroq   chiqish   ishiga   ega   bo'lgan   metall,   p -soha   sirtiga   esa
yarimo‘tkazgichga nisbatan kattaroq chiqish ishiga ega bo‘lgan metall
purkaladi.   Yarimo'tkazgichning   kontakt   oldi   sohalari   yuqoriroq
konsenfratsiyali   asosiy   zaryad   tashuvchilarga   va   shuning   uchun,
kichikroq   qarshihkka   ega   bo‘ladilar.   Bundan   tashqari,   kontaktlardagi
elektr o'tishlar kengligi juda kichik bo‘lib, tunnel tok o'tishi kuzatiladi.
Bunda   kontakt   tokni   ikkala   yo‘nalishda   ham   yaxshi   o'tkazadi,   ya’ni
omik bo‘ladi
1.6.Getero o’tishlar
Taqiqlangan   zona   kengliklari   turlicha   bo‘lgan
yarimo‘tkazgichlar   tutashtirilganda   hosil   bo‘luvchi   elektr   o'tishlar
geteroo’tishlar   deb   ataladi.   Geteroo'tish   hosil   qiluvchi
yarimo'tkazgichlar   kristall   tuzilishi   bir   xil   bo'lib,   kristall   panjara
doimiysi   bir-birinikiga   yaqin   bo'lmog'i   zarur.   Bunday   shartga
quyidagi   yarimo‘tkazgich   juftliklar   javob   beradi:   gerrnaniy   —
kremniy, gerrnaniy — arsenid galliy, arsenid galliy  —  fosfid galliy va
boshqalar.   Geteroo'tishlar   optoelektron   asboblarda   (nurlanuvchi
13 diodlar,   yarimo'ikazgich   injeksion   lazerlar,   fotodiodlar   va   boshqalar)
keng qo‘llaniladi.
Geteroo‘tishlar   asosida   geterotuzilmalar   yaratganligi,   ular
xususiyatlarini  o’rgangan hamda yarimo‘tkazgich  asboblarning  yangi
turlarini   hosil   qilgani   uchun   akademik   J.I.   Alferov   2000-yilda   Nobel
mukofotiga sazovor bo‘ldi.
Geteroo‘tishli   tuzilmalar   kombinatsiyasining   to'il   xilini   amalga
oshirish   mumkin:   p
1 —   n
2 ,   n
1 -   n
2   n
1 -   p
2   va   p
1   —   p
2 .   Geteroo'tishlar
xususiyatlarining   farqi,   ularning   energetik   diagrammalaridan   kelib
chiqadi.
P
1 -   n
2   geteroo'tish   zonalar   energetik   diagrammasini   ko'rib
chiqamiz.   Yarimo'tkazgichlarning   p-turlisi   tor   taqiqlangan   zonali,   n
turlisi   esa   keng   zonali   bo'lsin.   Zonalar   energetik   diagrammasi
qurilishiga   ortiqcha   e’tibor   qaratmasdan,   uning   eng   muhim
xususiyatini   elektron   va   kovaklar   uchun   potensial   to'siqlar   qiymati
turlicha ekanligmi aytib o'tamiz.
Kvantlashish   effektiari   geterostrukturalarda,   ya’ni   ta’qiqlangan
zona   kengligi   miqdoran   har   xil   bo’lgan   yarim   o'tkazgichlarning
molekulyar-nurli epitaksiya metodiga ko’ra olingan kontakti sohasida
yaxshi   namoyon   bo’ladi   .   Shunday   kontaktda   eneriyaviy   zonalarning
chetlari   miqdoran   sakrab   o’zgaradi   va  bunday   holda   potensial   to’siq,
tok   tashuvchilar   uchun   kvantlashgan   o’ra   hosil   bo’ladi.   n   va   p   tip
yarim   o’tkazgichlar   oralik   chegarasida   hosil   bo’ladigan   yakkalangan
geteroo’tishning  zonaviy  diagrammasi  tasviriangan.  Tor  zonali yarim
14 o’tkazgichlarning kontakti inversion qatlami ham elektronlar potensial
o’ra rolini o'ynaydi va unda kvantlashigan sathlar hosil bo’ladi. 
Geteroo’tishlarning   gomoo’tishtarga   nisbatan   o’ziga   xos
xususiyatlaridan   biri   geterochegaralarning   fizikaviy   nuqtai   nazardan
sifatli   bo’lishidir.   Getetroo’tishlarda   elementar   panjaralar
doimiyliklari   miqdoranbir   biriga   juda   yaqish   qiymatli   yarim
o’tkazgichlar tanlanadi. Bunga tor zonali GaAs va keng zonali Al-Ga-
As qattiq aralashma geterojuftligi misol bo’ladi. 
Bunday   yarim   o’tkazgichti   geterostrukturalarda   elektronlarning
harakatlanuvchanliklariga   nisbatan   rekord:   katta   qiymat   olingan,   eng
sifatli   Si-MDYaO’.   Harakatlanuvchanlikning   katta   qiymatliligidan
shart   geterostrukturalarda   yuqori   aniqlik   bilan   bajariladi   va   past
o’lchamli effektlarni kuzatish imkonini beradi. 
Potensial   o’ra   bir   tomondan   o’tkazuvchanlik   zonasining
qirqilishi   (sakrab   o’zgarishi)   tufayli   hosil   bo’lsa,   ikkinchi   tomondan
otish   sohasidagi   elektrostatik   maydonning   mavjudligidag   hosil
bo’ladi.   Yakkalangan   geteroo’tishlar   asosida   ikkilangan   Al-Ga-As
GaAs-Al   Ga-As   geterostruktura   olish   mumkin.   Bunda   tor   zonali
qatlami   qalinligi   a   miqdoran   elektrostatik   potensialning   ekranlashish
masofasidan   anchayin   kichik   bo’ladi.   Bu   holda   yupqa   pardalarga
o’xshash geterostruktura hosil bo’ladi (1.3-rasm.).
15 1.4-rasm.   Submikronlilitografiya   yordamida   kvantlashgan   ipli
geterostrukturalar:   (a)   namunaning   o‘zidan   olingan   struktura;
(b)Shottki kontaktidan lingan struktura [1].1 – AlGaAs; 2 – GaAs; 3 –
elektronligaz; 4 – metallizatvor.
16 1.7.Yarimo‘tkazgichiarda kontakt hodisalar
Qattiq   jism   o‘tkazuvchanlik   turi   bilan   farqlanuvchi   yoki
o'tkazuvchanlik   turi   bil   xil   bo‘lib,   solishtirma   qarshiligi   bilan
farqlanuvchi   sohalari   orasidagi   kontakt   natijasida   hosil   bo'ladigan
o‘tkinchi qatlam   elektr o'tish  deb ataladi. Yarimo‘tkazgich asboblarda
elektron-kovak o‘tish   yoki   p — n o'tish   deb ataluvchi elektr o‘tishdan
keng foydalaniladi.
Taqiqlangan zonalari kengligi  teng, ya’ni kimyoviy  jihatdan bir
xil   yarimo‘tkazgich   materiallar   (masalan.   Si   yoki   GaAs)   asosidagi
elektr   o'tishlar   gomoo‘tish,   taqiqlangan   zonalari   qiymati   bir-biridan
farqlanuvchi   yarimo‘tkazgichlar   asosidagi   o‘tishlar   esa   geteroo'tish
deb ataladi.
Metallarda   taqiqlangan   zona   bo‘lmagani   sababli
geteroo‘tishlarning xususiy holiga mos,  metall — yarimo'tkazgich  deb
ataluvchi elektr  0 ‘tishlar  ham elektronikada keng qo'llaniladi.
Ko‘p   yarimo‘tkazgich   asboblar   va   integral   mikrosxemalarning
ishlash prinsipi elektr o‘tishlarning xususiyatlariga asoslanadi.
17 XULOSA
Y arim   o‘tkazgichlar   elektr   o‘tkazuvchanligi   jihatidan   metall
o‘tkazgichlar     va   dielektriklar   orasida   turuvchi   materiallar
hisoblanishadi.   Metall   o‘tkazgichlarning   solishtirma   o‘tkazuvchanligi
10 4
-10 6
Om -1
∙sm -1
,   yarim   o‘tkazgichlarniki   10 -10
-10 4
  Om -1
∙sm -1
,
dielektriklarda   esa   bu   qiymat   10 -20
–10 -10
Om -1
∙sm -1  
ni   tashkil   etadi.
Bundan   tashqari,   barcha   metall   o‘tkazgichlarning   harorat   ko‘tarilishi
bilan   elektr   o‘tkazuvchanligi   pasaysa,   o‘z   navbatida   yarim
o‘tkazgichlarda  va dielektriklarda oshadi. Monokristall va polikristall
tuzilishga   ega   bo‘lgan,   kelib   chiqishi   noorganik   va   organik   bo‘lgan
ko‘p   sonli   yarim   o‘tkazgichli   materiallardan   elektrotexnika   asosan
germaniy,   kremniy,   selen,   kremniy   karbidi   va   galliy   arsenidlaridan
foydalaniladi.   Ushbu  materiallar  yarim  o‘tkazgichli  elektr  jixozlar   va
integral sxemalar ishlab chiqarishda keng qo‘llaniladi. 
Ushbu   Kurs   ishida     QATTIQ   JISMLARDA   KONTAKT
HODISALAR   va   fizikaviy   asoslari   keng   bayon   qilib   berildi.Kurs
ishida   atroflicha   QATTIQ   JISMLARDA   KONTAKT   HODISALAR
o’rganilgan  ta’siri katta axamiyatga ega ekanligi ko’rsatildi.	
.
 Ushbu Kurs ishi  kelajakda fizika fani ukituvchilari xamda kasb
xunar   kollejlarini   elektronika   soxasini   tugatgan   kichik   mutaxassislar
uchun   ishlab   chikarishda   amaliy   kunikma   va   malakalarini
shakllantirishda samarali  xizmat qiladi.  
18 FOYDALANILGAN ADABIYOTLAR RO’YXATI
1.   R.Bekjonov   B.Ahmadxo`jayev   “Atom   fizikasi”
Toshkent-“O`qituvchi” nashriyoti   1979-yil
2.   A.O`.Rahimov,.B.O.Otaqulov   “Eektrodinamika   va   nisbiylik
nazariyasi”I-kitob
  Toshkent –“O`qituvchi” nashriyoti   1985-yil
3.   O.Ahmadjonov   “Fizika     kursi”   III   tom   Toshkent-“O`qituvchi”
nashriyoti     1988-yil
4. N.Sultonov    “Fizika  kursi” Toshkent-“Fan va texnologiya”     2007-
yil
5. A.Teshaboyev    S.Zaynobiddinov    Sh.Ermatov  “Qattiq jism fizikasi”
Toshkent –“Moliya”nashriyoti      2001-yil
6. S.G.Kalashnikov     “Elektr”   Toshkent-“O`qituvchi”nashruyoti     1979-
yil
7. R.Sproul     “Sovryomennaya fizika”     1979-yil 
8.  http:www.gduportal.uz.
9. http:www.ZiyoNet.uz.    
19

Kontakt hodisalar MUNDARIJA I.KIRISH … ………………………………………………… 3 II.ASOSIY QISM…………………………………………… 6 1.1. Metall – dielektrik o tishi………………………………….ʻ 6 1.2. Kontaktlar………………………………………………… 10 1.3.Metall- yarim o’tkazgich kontakti………………………… 11 1.4.To’g’irlovchi kontaktlar………………………………....... 12 1.5.Omik kontaktlar…………………………………………... 13 1.6.Getero o’tishlar……………………………………………. 14 1.7.Yarim o’tkazgichlarda kontakt hodisalar............................. 18 III. XULOSA ............................................................................ 19 FOYDALANILGAN ADABIYOTLAR RO`YXATI ........... 20 1

KIRISH Zamonaviy elektronika sohasi jahon fani va texnikasida salmoqli o‘rinni egallaydi. Ular asosida ishlab chiqarilayottan asboblar va qurilmalar miqdori tez ko‘payib, ularning turli soxalarga tatbiqi kengayib bormoqda. Xozir zamonaviy elektronika elementlari qo‘llanilmayotgan insoniyat faoliyati soxalarini aloxida ko‘rsatish qiyin — ular avtomatikada, telemexanikada, radioelektronikada, elektron-xisoblash texnikasida va boshqa qator soxalarda keng ishlatilayotir. Yarimo’tkazgichlar va dielеktriklar fizikasi fani fizika sохasining o’ta dоlzarb muammоlariga tеgishli bo’lib, yarimo’tkazgichlar va dielеktriklardagi fizik хоdisalarning asоsiy qоnuniyatlari bilan tanishtirishni nazarda tutiladi. Yarimo’tkazgichlar va dielеktriklar fizikasi fanining maqsadi yarimo’tkazgichlar va dielеktriklardagi fizik хоdisalarning asоsiy qоnuniyatlari bilan tanishtirishdir. Ushbu fanning vazifasi talabalarda kеlajakda mustaqil ilmiy tadqiqоt va amaliy ishlab chiqarish jarayonlarida yarimo’tkazgich matеriallarni fizikgkimyoviy хоssalari bo’yicha ajrata bilish, ish vazifasi talablarga mоs kеluvchi yarimo’tkazgich asbоblarning хоssa va paramеtrlarini nazariy xisоblay bilish va yarata оlish o’quv va malakalarini hоsil qilishdan ibоratdir. Yarimo’tkazgichlarni muхim elеktrоfizik хususiyatlari tufayli, ular turli хil asbоblar yasashda kеng kullaniladi. Yarimo’tkazgichli asbоblar tоkni tugrilashda (diоdlar), tеbranishlarni gеnеratsiyalash va kuchaytirishda (tranzistоrlar), issiqlik va nurlanish enеrgiyasini elеktr enеrgiyasiga aylantirishda (tеrmоelеmеntlar va fоtоelеmеntlar), elеktr 2

enеrgiyasini yoruglik enеrgiyasiga aylantirishda (fоsfоrlar, svеtоdiоdlar, lazеrlar), tеmpеraturani ulchоvchi datchiklar (tеrmistоrlar), yoruglik va kоrpuskulyar nurlanishlarni kayd qilishda (fоtоrеzistоrlar va dоzimеtrlar), bоsimni (tеnzоdatchiklar) va magnit maydоnlarni (Хоll datchiklari) ulchashda kullaniladi. Х ar bir asb о bni ishi as о sida ma ’ lum bir fizik хо disa yotadi . SHuning uchun yarimo’tkazgichlar fizikasi yarimo’tkazgichlar el е ktr о nikasini nazariy as о si hisoblanadi. Yarimo’tkazgich m о ddalarni yaratish, ular as о sida asb о blarni yangi kurinishlarini yasash, yuqori sifatli yarimo’tkazgich asb о blar va int е gral s хе malar ishlab chikarishini yulga kuyish-bularni х ammasi yarimo’tkazgichlar fizikasi s ох asida mu х im bilimlarni urganishni talab kiladi. Agar tarixga nazar tashlansa, nuqtaviy diodlar yoki kristall dedektorlar ko‘rinishidagi yarim o‘tkazgichli asboblar ancha ilgari qo‘llanilgan. Masalan, metallar bilan sulfit birikmalar kontakini to‘g‘irlash xossalari 1874 yilda aniqlangan. Unda nuqtaviy kontaktdan tok o‘tayotganda kremniy karbidining yorug‘lanishi kuzatilgan va yuqori takroriylikli elektromagnit tebranishlarni paydo qilish va kuchaytirish amalga oshirilgan. Ikkinchi jaxon urushi vaqtida yuqori takroriylikli va o‘ta yuqori takroriylilikli germaniy va kremniy nuqtaviy diodlari ishlab chiqildi, issiqlik energiyasini bevosita elektrik energiyaga aylantirib beradigan yarim o‘tkazgichli termoelektrik generatorlar tayyorlandi. 1948 yilda amerika olimlari J.Bardin, V.Bratteyn va V. SHokli nuqtaviy tranzistorlarni yaratdi. V.SHoklining p-n o‘tishi nazariyasi yarim o‘tkazgichlar elektornikasi rivojining yangi bosqichini boshlab berdi. 50- yillarda ikki qutbli 3

tranzistorlarning xar xillari, tristorlar, katta quvvatli to‘g‘irlagich diodlar, fotodiodlar, fototranzistorlar, fotoelementlar, tunelli diodlar va boshqa dastlabki elektronika elementlari yaratila boshlandi. 1960 – yillarga kelib integral sxemalar ishlab chiqarish boshlandi. 1967 yilda J.I.Alferov rahbarligida xossalari mukammallikka yaqin bo‘lgan geteroo‘tishlar xosil qilindi va bular asosida xozirgi vaqtda kunlik extiyojda foydalanilayotgan uyali aloqa vositalari va boshqalarni aytishimiz mumkin. Bu geteroo‘tishlar asosida lazerlar tayyorlandi. O‘zining xossalarining mukammalligi va qo‘llanilayotgan sohalarining kengligi bilan yarim o‘tkazgichli materiallar jumladan pe’zoelektrik (yorug‘lik ta’sirida bo‘ladigan xajmiy o‘zgarishlar) xususiyatiga ega bo‘lgan yarim o‘tkazgichlarni xosil qilish texnologiyasi va ularning fizik xossalarini o‘rganish shu kunning dolzarb muammolaridan biridir. Bizga ma’lumki, xozirda zamonaviy elektronika elementlarini beshinchi avlod elektronikasi sanoatining asosiy xom ashyosi xisoblanadi. Bu avlod elektronikasining asosiy elektronika elementlarini o‘zining ma’lum bir xossasiga ega bo‘lgan yarim o‘tkazgichlar tashkil etadi. Ularning xossalarini o‘rganish ustida samarali ishlar olib borilmoqda. Jumladan, o‘zining yorug‘lik sezgirligining o‘ta yuqoriligi, elektro va pe’zoelektrik xususiyatining alohidaligi, magnitik va pe’zooptik sezuvchanligining samaradorligi bilan selinitli pe’zoelektrik yarim o‘tkazgichlar ustida olib borilayotgan ishlar xaqida bir qancha ma’lumotlarga ega bo‘lish ushbu bitiruv malakaviy ishining asosiy maqsadi va vazifasi hisoblanadi. 4

I.ASOSIY QISM. 1.1.Metall – dielektrik o tishiʻ Metall–dielektrik – faza o tishi temperatura ( ʻ T ), bosim ( p ), magnit maydon kuchlanganligi ( H ) yoki modda tarkibi o zgarganda ʻ o tkazuvchanlik kattaligi va xarakterining o zgarishi bilan yuz beradi. ʻ ʻ Metall–dielektrik faza o tishi bir qator qattiq jismlarda, ba’zi ʻ suyuqliklar va bug larda (metallarning zich bug lari) kuzatiladi. ʻ ʻ Metall–dielektrik faza o tishlarida o tkazuvchanlik ʻ ʻ σ juda kuchli, o zgarishi mumkin. ʻ Metall–dielektrik faza o tishi, agar u birinchi ʻ jinsli faza o tishi bo lsa, oson identifikasiya (sinflash) qilinishi ʻ ʻ mumkin. Ikkini jinsli faza o tishi holida uni ʻ metall–dielektrik faza o tishi deb sinflashtirish ko p holda qiyin va shartli bo ladi, chunki ʻ ʻ ʻ T ≠ 0 K bo lganda o tkazuvchanlik ham ʻ ʻ σ ≠ 0 bo lib, o tishning har ʻ ʻ ikkala tomoni va o tish nuqtasida uzluksiz bo ladi. Moddalarni qat’iy ʻ ʻ tarzda metallar hamda dielektriklarga (yarimo tkazgichlarga) ajratish ʻ faqat T = 0 K da mumkin bo ladi, bu temperaturada metallarda ʻ σ ( ω ) ≠ 0 , dielektriklarda esa σ ( ω ) ω →0 = 0 . Odatda temperatura T ning oshishi bilan metallar qarshiligi ortib, dielektriklar va yarimo tkazgichlar qarshiligi esa kamayadi. ʻ Qattiq jismlarning standart zona sxemasida dielektriklar va yarimo tkazgichlarda to lgan zonalar bo sh zonalardan energetik ʻ ʻ ʻ tirqish ℰ ?????? bilan ajralgan bo ladi. Metallarda esa qisman to lgan ʻ ʻ zonalar bor bo lib, ularda elektronlar kuchsiz elektr maydoni ta’sirida ʻ harakatlanishi mumkin. Bir elektronli yaqinlashishda zonalar strukturasi kristall panjara simmetriyasi bilan bog langan. ʻ Metall– dielektrik faza o tishlar panjara o zgarishlari, ya’ni struktura faza ʻ ʻ 5